彩神app漏洞破解官方 超薄磁性材料有望用于开发新型存储设备

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  新华社华盛顿5月4日电(记者 周舟)美国一两个多多多多科研团队基于二维磁体三碘化铬开发出了超薄磁性材料,有望用于研制新型存储设备,从而大幅提高信息存储密度并减少能量耗损。

  发表在最新一期美国《科学》杂志上的研究显示,研究人员利用新型二维磁性材料三碘化铬,可基于“电子自旋”对电子流动进行调控,从而实现存储信息。

  华盛顿大学许晓栋研究组和麻省理工学院团队在2017年利用三碘化铬首次制出二维磁体。所谓二维磁体是只能一层原子还能保有磁性的材料。三碘化铬的晶体特征是层叠状的,在零下228摄氏度以下环境中,单个原子厚的三碘化铬材料具有永磁体特征。这俩材料在低温下还展示出独特的层间反铁磁性,可高效用于允许或禁止电子流动。

  研究人员将两层三碘化铬置于两层导电的石墨烯间,当这两层三碘化铬中的电子自旋指向相同或相反时,电子可无阻通行或基本被阻止,这被称为“隧穿磁阻效应”。可实现这俩效应的特征被称为“磁性隧道结”,是磁性信息存储的最基本单元。

  亲戚亲戚朋友发现,区别于传统的“磁性隧道结”,当增加三碘化铬层数时,可拥有更多电子自旋组合,从而有望大幅提高单个器件的信息存储容量。研究团队在4层的纳米器件中实现了超过现有技术10倍的“隧穿磁阻效应”。

  论文通讯作者许晓栋介绍,随着信息的爆炸性增长,增加数据存储密度并降低能耗成为一两个多多多多挑战,这俩单原子存储器件则有望除理这俩问题。亲戚亲戚朋友肯能利用这俩材料开发出有一种新颖的存储器件。下一步,研究团队希望减少对磁场和温度的要求,让这俩技术的产业化成为肯能。